论文部分内容阅读
提出了一种基于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器电路。通过环路增益和相位的分析，得出了一般晶体振荡电路的振荡性能优化条件；并通过亚阈值电流源、亚阈值MOS管反馈、电流源放大缓冲级以及电路的其他改进，进一步优化振荡电路的性能。根据这种设计，采用SMIC 0．18μm CMOS单层多晶硅六层金属工艺，实现了一个功耗电流0．7μA的CMOS晶体振荡器。