【摘 要】
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采用热蒸发硅的方法,于1650℃反应不同的时间,在聚丙烯腈（PAN）碳纤维上原位生长碳化硅纳米线。通过X射线衍射,场发射扫描电镜及透射电子显微镜分析和观察,发现制得的产物为β-S
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程系,浙江理工大学材料工程中心
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采用热蒸发硅的方法,于1650℃反应不同的时间,在聚丙烯腈（PAN）碳纤维上原位生长碳化硅纳米线。通过X射线衍射,场发射扫描电镜及透射电子显微镜分析和观察,发现制得的产物为β-SiC单晶纳米线,具有明显的针尖状头部,且呈放射状生长在碳纤维上,形成试管刷状阵列。基于在反应不同阶段所得到产物的不同形貌,结合对制备条件和制备原料的分析,提出不同于传统VLS机理的VL’S机理。
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