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综述了半导体材料氮化镓(Ga N)抛光技术的发展,介绍了Ga N晶片化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了CMP亟待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望。
氮化镓晶片的CMP技术现状与趋势
【摘 要】
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综述了半导体材料氮化镓(Ga N)抛光技术的发展,介绍了Ga N晶片化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十五研究所
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2016年01期
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