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以S粉作为还原剂,利用热蒸法合成S掺杂的SiO_2微球。所合成的产品通过X射线粉末衍射(XRD),拉曼光谱(RS),扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱(EDX)和光致发光谱(PL)等进行了系统研究。结果显示,纯S掺杂的SiO_2微球能够在730℃的生长温度上收集到。此外,PL谱揭示了S掺杂的SiO2微球具有一个稳定、较强的绿色发光带。该产品的研究有利于提升光电子半导体器件的性能应用。