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ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷VZn-及施主缺陷VP0和GeZn+,其相应的缺陷能级分别为E(VZn-)=Ec-(1.02±0.03)eV,E(VP0)=Ev+(1.61±0.06)eV和E(Ge(Zn+)=Ev+(1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退