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ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷VZn-及施主缺陷VP0和GeZn＋,其相应的缺陷能级分别为E（VZn-）=Ec-（1.02±0.03）eV,E（VP0）=Ev＋（1.61±0.06）eV和E（Ge（Zn＋）=Ev＋（1.70±0.03）eV.对晶体作了电子照射及高温退