【摘 要】
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本文采用射频磁控溅射方法,制备了非晶掺钨氧化铟（a-IWO）薄膜及其薄膜晶体管（TFTs）,并探讨了溅射过程中氧流量对a-IWO薄膜及其TFTs性能的影响.研究发现,随着沉积过程中氧流量的增
【机 构】
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复旦大学材料科学系,台湾交通大学光电工程学系
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本文采用射频磁控溅射方法,制备了非晶掺钨氧化铟（a-IWO）薄膜及其薄膜晶体管（TFTs）,并探讨了溅射过程中氧流量对a-IWO薄膜及其TFTs性能的影响.研究发现,随着沉积过程中氧流量的增加,a-IWOTFTs器件的饱和迁移率降低,阈值电压正向偏移,说明溅射过程中氧流量的增加有效抑制了a-IWO沟道层中氧空位的产生,降低了载流子浓度.当溅射过程中氧气/氩气流量比为2∶28时,制备的TFT器件饱和迁移率为27.6cm2·V^-1·s^-1,阈值电压为-0.5V,电流开关比为108.
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