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通过关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型定量研究了优化设计 GAT的工艺参数和结构参数的关系 ,即抗核辐照器件 GAT的优化设计必要条件
抗核辐照功率晶体管GAT优化设计的必要条件
【摘 要】
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通过关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型定量研究了优化设计 GAT的工艺参数和结构参数的关系 ,即抗核辐照器件 GAT的优化设计必要条件
【出 处】
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厦门大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2000年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金!(6 9896 2 6 0 - 6 0 ),,国家高技术研究发展计划!(86 3- 715- 0 10 )资助项目
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