【摘 要】
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研究AlInGaN材料的生长特性及其光学性质.通过对不同生长温度生长的三个AlInGaN样品的测量,发现In的掺入量随着生长温度的降低而增加,而Al的掺入几乎没什么变化;在较低温度下
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,香港科技大学物理系
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研究AlInGaN材料的生长特性及其光学性质.通过对不同生长温度生长的三个AlInGaN样品的测量,发现In的掺入量随着生长温度的降低而增加,而Al的掺入几乎没什么变化;在较低温度下生长的材料具有较好的材料质量与光学特性,其原因直接与In组分的掺入有关,In组分的掺入可以减少材料的缺陷,改善材料的质量.同时,用时间分辨光谱研究了AlInGaN材料的发光机理,发现其发光强度随时间变化(荧光衰退寿命)不是指数衰减,而是一种伸展的指数衰减.通过对这种伸展的指数衰减特性的研究,发现AlInGaN发光来自于局域激子的复合,且这种局域化中心呈现量子点的特性,延伸指数衰减行为是由不同局域态之间的局域激子的跳跃(hopping)造成的.此外,进一步研究了荧光衰退寿命随发光能量的变化关系和发光的辐射复合和非辐射复合特性,进一步证实了局域化中心的量子点特性.
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