GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响

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GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响李桂英杨锡震孙寅官王亚非(北京师范大学物理系,北京100875)关键词:GaPLED位错LPE1前言高效率绿色发光二极管(LED)的少数载流子扩散长度接近7μm[1]。当外延层的位错密度过高时,位错间... Effect of Dislocation Density of GaP Single Crystal Substrate on LPE Materials for LEDs LI Gui-ying, YANG Xizhen, SUN Yin-kuan, WANG Ya-fei (Department of Physics, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) Keywords: GaPLED Dislocations LPE1 Preface The minority current-carrying of high efficiency green light-emitting diode The diffusion length is close to 7μm [1]. When the dislocation density of the epitaxial layer is too high, the dislocation ...
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