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采用双靶共溅射Cu-Sb合金预制层后硫化法制备铜锑硫（Cu Sb S2）薄膜,研究溅射功率对合金成分的影响,并采用X线能量色散谱（EDS）、扫描电镜（SEM）、X线衍射（XRD）和紫外-可见-近红外分光光度计（UV-VIS-NIR）等对硫化后薄膜进行表征,同时制备Cu Sb S2太阳能电池器件并对其输出特性进行表征和分析。研究结果表明：三元Cu Sb S2相由预制层中金属被硫化生成的二元硫化物Cu S和Sb2S3相互反应形成。在400℃下硫化退火可制得结晶良好、表面致密的Cu Sb S2薄膜,其带隙宽度为