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提出了一种耐压技术——横向变厚度VLT技术，以及基于此技术的一种高压器件结构——变厚度漂移KSOI横向高压器件，借助二维器件仿真器MEDICI，深入研究了该结构的耐压机理。结果表明，变厚度漂移区结构不但可以使横向击穿电压提高20％，纵向击穿电压提高10％，而且可以使漂移区掺杂浓度提高150%-200％，从而降低漂移区电阻，使器件优值提高40％以上。进一步研究表明，对于所研究的结构，采用一阶或二阶阶梯作为线性漂移区的近似，可以降低制造成本，并且不会导致器件性能的下降。