漂移区电阻相关论文
本文提出了一种漂移区部分氧化柱体硅LDMOS.此结构将N型漂移区用N型硅柱和氧化柱相互交替来代替,利用氧化柱对漂移区电场的调制作......
本文提出了一种的耐压技术——横向变厚离VLT技术,以及基于此技术的一种新高压器件结构——阶梯漂移区SOI结构,借助二维器件仿真器......
提出了一种耐压技术——横向变厚度VLT技术，以及基于此技术的一种高压器件结构——变厚度漂移KSOI横向高压器件，借助二维器件仿真器M......
提出了一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型。LDMOS晶体管分为本征MOS晶体管和漂移区电阻两部分,本征MOS晶体管采用BSIM3模型,漂移区电......
