TiC和SiC掺杂MgB2超导体的对比研究

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分别制备了8%(质量分数)的TiC和5%(质量分数)的SiC掺杂的MgB2超导块材,并对比分析了这两种掺杂物对MgB2超导块材的性能影响。所有样品均在流动的Ar气保护下在不同退火温度下退火,研究发现TiC掺杂和SiC掺杂的MgB2样品的最优化工艺参数分别是900℃保温1h和720℃保温1h。随后采用XRD和SEM分别对样品进行了相成份和微观结构的分析,并采用PPMS测试了样品的磁滞回线并由Bean模型计算出了样品的临界电流密度。在4.2K,0T下TiC掺杂的五值为1.0×10^5A/cm^2,而
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