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本文对平板裂缝天线辐射裂缝匹配方程进行了深入的分析,发现中间馈电情况下辐射裂缝导纳和等于2的结论与确定耦合裂缝阻抗的边界条件有关,通过改变确定耦合裂缝阻抗与裂缝结构参数关系的边界条件,推导出了辐射裂缝导纳和等于1的结果.
平板裂缝天线阻抗匹配设计探讨
【摘 要】
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本文对平板裂缝天线辐射裂缝匹配方程进行了深入的分析,发现中间馈电情况下辐射裂缝导纳和等于2的结论与确定耦合裂缝阻抗的边界条件有关,通过改变确定耦合裂缝阻抗与裂缝结
【机 构】
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北京航空航天大学电子工程系
【出 处】
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微波学报
【发表日期】
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2001年4期
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