【摘 要】
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电子在微通道内传输过程可以采用解析法和蒙特卡罗模拟进行研究,解析法的优点是物理图像更清晰,但对电子渡越时间的弥散特性不能给出满意的解释.采用统计学的方法对电子在微
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学国家重点实验室,西安交通大学机械学院激光与红外研究所,西安交通大学电信学院光子信息重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(10376041)
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电子在微通道内传输过程可以采用解析法和蒙特卡罗模拟进行研究,解析法的优点是物理图像更清晰,但对电子渡越时间的弥散特性不能给出满意的解释.采用统计学的方法对电子在微通道内传输过程的时间分布特性进行了讨论,得到了电子渡越时间的分布函数表达式,并据此可以得到时间弥散度与二次倍增次数的关系,即整个二次电子的渡越时间呈指数分布,且在最可机时间内集中了大量的二次电子.此外,由于碰撞次数对电子渡越时间弥散度的影响,因此在作为高时间分辨元件时应该考虑适当增加通道板两端的电压,以减少碰撞次数,从而降低渡越时间的弥散度和提高
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