【摘 要】
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本文用场增强热激发界面陷阱模型分析了TSIC曲线峰位温度与外加电场强度之间的关系,分析结果表明:用TSIC曲线峰位温度所确定的最可几陷阱深度是有效陷阱深度;用Poole-Frenkel
【机 构】
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北京大学计算机科学技术系,北京大学计算机科学技术系
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本文用场增强热激发界面陷阱模型分析了TSIC曲线峰位温度与外加电场强度之间的关系,分析结果表明:用TSIC曲线峰位温度所确定的最可几陷阱深度是有效陷阱深度;用Poole-Frenkel效应解释了有效陷阱深度与电场强度之间的关系;为了确定最可几陷阱深度,实验结果必须做修正,其修正量相当于 Poole-Frenkel降低量,当电场强度为10~6V/cm时,大约为0.386eV.
In this paper, the field-enhanced thermal-induced interface trap model was used to analyze the relationship between the peak temperature of TSIC curve and the applied electric field strength. The results show that the most probable trap depth determined by TSIC curve peak temperature is the effective trap depth. The Frenkel effect explains the relationship between the effective trap depth and the electric field strength. To determine the most probable trap depth, the experimental results must be corrected with a correction equivalent to the Poole-Frenkel reduction. When the electric field is 10 to 6 V / cm , About 0.386eV.
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