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1 引 言近年来 , 族氮化物半导体迅速崛起 ,成为制作短波长光电子器件的重要材料。雷达、导弹、通信、潜艇、航空航天以及石油、化工、钻探与核电站等电子设备对抗辐射、耐高温、高频、微波、大功率器件的迫切需求不断推动Ga N器件的研究与发展。(Inx Ga1- x) y Al1- y N合金系统可以形成从紫外光 (UV)至蓝光 /绿光波长范围的连续的直接带隙半导体合金系统。许多年以来 ,固态器件研究工作者一直梦想着能有一种高亮度的蓝色光源 ,为此他们进行了不懈的追求与探索。短波长发光器件具有很大的商用潜力 ,