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利用MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了非对称量子阱结构CdSe／ZnSe材料，通过对其稳态变温光谱及变激发功率光谱，研究了其发光特性。稳态光谱表明：在82～141K时，观测到的两个发光峰来源于不同阱层厚度的量子阱激子发光，用对比实验验证了高能侧发光的来源。宽阱发光强度先增加后减小，将其归结为激子隧穿与激子热离化相互竞争的结果。通过Arrhenius拟合，对宽阱激子热激活能进行了计算。82K时变激发功率PL光谱表明：由于激子隧穿的存在，使得窄阱发光峰位不随激发功率变化而变化，宽阱发光峰位随激发功率增加