【摘 要】
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利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了Ga N∶C薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的Ga N薄膜,研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD外延Ga N薄膜电学性能的影响,
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,
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利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了Ga N∶C薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的Ga N薄膜,研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD外延Ga N薄膜电学性能的影响,发现CCl4流量和载气对实现高阻的Ga N影响很大。当Ga N缓冲层采用N2作为载气,CCl4的流量为0.016μmol/min时成功实现了Ga N的高阻生长,样品A2的方块电阻高达2.8×107Ω/sq。经原子力显微镜(AFM)测试显示,样品的表面形貌较好,粗糙度均在0.3 nm附近,说明C掺杂对外延Ga N薄膜的表面形貌没有大的影响。低温荧光光谱测试显示黄光峰与刃型位错有关。
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