适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lok119119119

【摘要】

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针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的p

【作者】

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赵涤燹闫娜徐雯杨立吾王俊宇闵昊

【机构】

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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司设计服务处

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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射频识别单栅非挥发性存储器标准CMOS工艺敏感放大器低功耗 RFID single-poly non-volatile memory standard

【基金项目】

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国家高技术研究发展计划(863计划);

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针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS晶体管实现;编程/擦写时间为10ms/16bit.芯片实现块编程和擦写功能,通过提出一种新型的敏感放大器而实现了读功耗的优化.在电源电压为1.2V,数据率为640kHz时,读操作平均消耗电流约为0.8μA.

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