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多晶硅薄膜晶体管被广泛应用于各类电子产品,所具有的较好电学特性与低廉造价使其备受追捧。但由于Poly-Si TFT晶界间存在离散分布......
采用Skysilicon 0.35μm标准CMOS工艺设计并制造了一种可嵌入射频识别(RFID)标签的低功耗单栅非易失性存储器(SPNVM)。与传统的采......
针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向......
针对低成本、低功耗无源射频电子标签，采用SMIC0．18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器．存储器单元基于双向Fowl......
介绍了一种与标准CMOS工艺兼容的、主要应用于UHFRFID无源标签的单栅存储器的单元结构及其工作原理，分析了该单栅存储器在用于UHFRF......
