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从GaAs中空穴陷阱A,B能级的结构缺陷模型与该二陷阱浓度和外延温度的关系导出了生成反应Ga<sub>As</sub>As<sub>Ga</sub>+(V<sub>Ga</sub>)<sub>2</sub><sup>-</sup>+e<sup>-</sup>=As<sub>Ga</sub>V<sub>Ga</sub>