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采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H—SiC单晶片中的微小多型结构。基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向，计算了SiC晶体中3种主要多型在Lane像中对应不同反射的成像位置，并与实际结果进行了比较。鉴别出6H和4H—SiC单晶中分别存在着少量的4H—SiC和15R—SiC多型的寄生生长。