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采用无催化剂的气相输运方法在n-Si衬底上制备了ZnO纳米线.其直径约100nm至200nm,长度约几微米,X射线衍射图谱的所有峰位与典型的六角纤锌矿ZnO相匹配.霍尔效应测量表明纳米结构ZnO具有良好的导电性.纳米ZnO/n-Si的电压电流关系显示其具有整流特性.基于纳米ZnO/n-Si界面的能带结构对其导电特性进行了分析讨论。