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本文研究了锗(Ⅳ)-3,4-二羟基苯甲醛(DHB)体系在悬汞电极上的微分脉冲吸附伏安法。提出了用该法测定微量锗的最佳体系为0.12mol/L HClO<sub>4</sub>+2.1×10<sup>-3</sup>mol/L DHB。当富集时间为5min时,最低检测浓度为1.2×10<sup>-9</sup>mol/L Ge。同时研究了此体系在悬汞电极上的吸附性和可逆性。