【摘 要】
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为开发全加成PCB制作新工艺,将水解PI膜浸入H2O2和FeCl3溶液后再浸入EDOT溶液,研究EDOT原位聚合新方法,分析VUV辐射对PEDOT导电性的影响和在掩膜下制作导电图纹,以SEM揭示在导电P
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为开发全加成PCB制作新工艺,将水解PI膜浸入H2O2和FeCl3溶液后再浸入EDOT溶液,研究EDOT原位聚合新方法,分析VUV辐射对PEDOT导电性的影响和在掩膜下制作导电图纹,以SEM揭示在导电PEDOT上电镀铜箔的形成.PI膜经H2O2和FeCl3溶液浸泡可引入mmol/m2量级的过氧基团和FeCl3,于EDOT溶液中与滞留层中的EDOT反应,形成PEDOT膜,使PI的表面电阻降至400Ω/□;VUV照射使PEDOT的导电性下降,可透过掩膜制作导电图纹;在电解池中导电PEDOT可传递电子使铜离子还
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