【摘 要】
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使用基于第一性原理的密度泛函理论（DFT）赝势平面波方法,对三斜结构的Zn2SiO4的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算。能带计算结果表明,Zn2SiO4是具有能隙为1.086 eV的
【机 构】
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河北科技师范学院理化学院,昆明贵金属研究所,燕山大学材料科学与工程学院
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使用基于第一性原理的密度泛函理论（DFT）赝势平面波方法,对三斜结构的Zn2SiO4的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算。能带计算结果表明,Zn2SiO4是具有能隙为1.086 eV的直接带隙半导体;其价带主要是由Zn的3d态电子和O的2P态电子构成,导带在6.5~7.5 ev之间,起主要贡献的是Zn的3p和4s态电子;对光学性质计算表明,Zn2SiO4的静态介电常数ε1（0）=1.793,折射率n0=3.35,吸收系数最大值8.56×104cm-1。
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