【摘 要】
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针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Ki
【机 构】
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中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,
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针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用.
Aiming at the requirement of high current and high cut-off frequency components in millimeter-wave circuits, a planar quadrilateral synthesized InGaAs / InP heterojunction bipolar transistor with a compact structure is designed and fabricated successfully.The experimental results show that the width of the emitter can be reduced Small to 1μm.Kirk current can reach 110mA, the current gain cut-off frequency of 176GHz.This device is expected to be used in medium-power millimeter-wave circuit.
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