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分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiN薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较,从理论上分析了随着薄层电阻的增大和采用低频(40 kHz)的PECVD沉积SiNx,薄膜,短波响应得到提高的原因.光谱响应峰值随着薄层电阻的增大逐渐向短波方向移动.
单晶硅太阳电池扩散薄层电阻和SiNx薄膜对电池短波响应的影响
【摘 要】
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分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiN薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较,从理论上分析了随着薄层电阻的增大和采用低频
【机 构】
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宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司
【出 处】
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太阳能学报
【发表日期】
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2004年期
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