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报导了等离子体化学气相沉积法在锑化铟衬底上生长Ｓｉ３Ｎ４和ＳｉＯ２双层介质膜的实验技术。并用理化分析对膜层的物理化学性质进行了分析，给出了实验研究结果，提出了这种工艺在红外探测器制备工艺中应用的可能性。
优质Si3N4,SiO2双层介质膜的研究
【摘 要】
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报导了等离子体化学气相沉积法在锑化铟衬底上生长Ｓｉ３Ｎ４和ＳｉＯ２双层介质膜的实验技术。并用理化分析对膜层的物理化学性质进行了分析，给出了实验研究结果，提出了这种工艺在红外探测器制备
【机 构】
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国家标准物质研究所,北京西门子电器有限公司
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1997年1期
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