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研究了Si在AlxGa1-xAs（0≤z≤1）中的掺杂行为．为比较Al组份对Si掺杂浓度的影响，在用气态源分子束外延生长（GSMBE）掺Sin型AlxGa1-xAs（0≤x≤1）的所有样品时，n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变．用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率，用X射线双晶衍射迫摆曲线测量外延层的组份．测试结果表明，当AlxGa1-xAs中Al组份从0增至0．38时，Si的掺杂浓度从4×10^18cm^-3降至7．8×10^16cm^-3，电子迁移率从1900cm^2／Vs