BiCMOS工艺中纵向晶体管β和广义SPC

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mohuan88

【摘要】

：

采用 SPC获得影响 Bi CMOS工艺中纵向晶体管电流放大系数 β值波动的因素仅和基区方块电阻相关。进一步采用 SUPREM3工艺模拟得到影响 β波动的重要因素是扩散炉温度。试验结

【作者】

：

鲍荣生

【机构】

：

上海贝岭股份公司

【出处】

：

半导体情报

【发表日期】

：

2001年02期

【关键词】

：

电流放大系数β SUPREM3 广义SPC

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采用 SPC获得影响 Bi CMOS工艺中纵向晶体管电流放大系数 β值波动的因素仅和基区方块电阻相关。进一步采用 SUPREM3工艺模拟得到影响 β波动的重要因素是扩散炉温度。试验结果定量证明温度的影响 ,由此说明批量生产时测试基区方块电阻而无需测试结深就能预测其 β值。最后建议采用广义的 SPC使 β值受控达到设计规范

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