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对电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅.并在室温(25℃)和液氮温度(-196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性.测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响.
高补偿硅的光敏感特性
【摘 要】
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对电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅.并在室温(25℃)和液氮温度(-196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性.测试结果
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,塔什干国立技术大学
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2004年3期
【基金项目】
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国家外国专家局科研项目，中国科学院"西部之光"人才培养计划
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