高补偿硅相关论文
对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种......
采用5·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅。笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104·cm的样品,......
对电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅.并在室温(25℃)和液氮温度(-196℃)下,测试......
采用4.5Ω·cm的p型单晶硅，通过高温气相扩散法将锰掺入硅中，得到高补偿单晶硅。用化学沉积法，在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍......
采用5Ω·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅.笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104Ω&......
