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美国国家半导体公司 (National Semiconductor)宣布推出4款全新的高电压非同步降压控制器，其完备的功能特性主要包括：适用于极高的输入电压，可以提供卓越的脉冲宽度调制(PWM)控制，而且还可减少电磁干扰（EMI）。
这几款高度集成且操作简单的降压控制器可以在高输入电压下，产生功率灵敏的低电压电路，最适用于电信、网络系统及工业基建设备。新推出的这几款控制器属於PowerWise高能源效率产品，当利用高供电电压驱动低电压负载时，效率可高达85%。
LM5085、LM25085、LM5088以及LM25088等4款降压控制器除了适用于高达75V的输入电压以外，还可将输出电压调低至1.2V，并输出5A以上的负载电流。此外，这4款控制器都只需利用一个电阻便可设定开关频率(最高可达1MHz)，使系统设计工程师可以因方案大小及效率要求将系统设计优化。LM5085及LM5088两款芯片适用于高达75V的输入电压，而LM25085及LM25088两款芯片则更适用于高达42V的输入电压。
采用16引脚TSSOP封装的LM5088及LM25088控制器不但功能完备，而且噪声极低，最适用于高电压的降压系统。这两款N沟道MOSFET控制器采用仿电流模式(ECM)控制的PWM控制拓扑结构，可将极高的输入电压调低至1.2V，然后将输出电压稳定在这个低水平。此外，这两款控制器设有独特的频率抖动功能，确保这一频率的变化不会超出其额定值的5%，从而简化电源供应的设计，并将典型应用的电磁干扰最高振幅减少10dB或更多。由于这两款芯片也可与外置时钟同步，因此可以进一步抑制系统的电磁干扰。
LM5085及LM25085属于小型的P沟道MOSFET控制器，采用8引脚的迷你型SOIC及LLP 封装，可以支持多种不同的高电压降压系统。由于这两款芯片采用固定导通时间(COT)的控制方法，因此负载瞬态响应极快，而且无需提供环路补偿，令外置元件可以减至最少，有助于简化电路设计。此外，无论采用什么线路及负载，内置的输入前馈电路都可确保开关频率几乎恒定不变，以便轻易滤除电磁干扰。由于这两款芯片都内置P沟道MOSFET驱动器，因此可进一步减少外置元件数目，而且还可将操作时的占空比提高至100%，即使输入电压稍微高于输出电压，也能确保输出电压的稳定。
这几款高度集成且操作简单的降压控制器可以在高输入电压下，产生功率灵敏的低电压电路，最适用于电信、网络系统及工业基建设备。新推出的这几款控制器属於PowerWise高能源效率产品，当利用高供电电压驱动低电压负载时，效率可高达85%。
LM5085、LM25085、LM5088以及LM25088等4款降压控制器除了适用于高达75V的输入电压以外，还可将输出电压调低至1.2V，并输出5A以上的负载电流。此外，这4款控制器都只需利用一个电阻便可设定开关频率(最高可达1MHz)，使系统设计工程师可以因方案大小及效率要求将系统设计优化。LM5085及LM5088两款芯片适用于高达75V的输入电压，而LM25085及LM25088两款芯片则更适用于高达42V的输入电压。
采用16引脚TSSOP封装的LM5088及LM25088控制器不但功能完备，而且噪声极低，最适用于高电压的降压系统。这两款N沟道MOSFET控制器采用仿电流模式(ECM)控制的PWM控制拓扑结构，可将极高的输入电压调低至1.2V，然后将输出电压稳定在这个低水平。此外，这两款控制器设有独特的频率抖动功能，确保这一频率的变化不会超出其额定值的5%，从而简化电源供应的设计，并将典型应用的电磁干扰最高振幅减少10dB或更多。由于这两款芯片也可与外置时钟同步，因此可以进一步抑制系统的电磁干扰。
LM5085及LM25085属于小型的P沟道MOSFET控制器，采用8引脚的迷你型SOIC及LLP 封装，可以支持多种不同的高电压降压系统。由于这两款芯片采用固定导通时间(COT)的控制方法，因此负载瞬态响应极快，而且无需提供环路补偿，令外置元件可以减至最少，有助于简化电路设计。此外，无论采用什么线路及负载，内置的输入前馈电路都可确保开关频率几乎恒定不变，以便轻易滤除电磁干扰。由于这两款芯片都内置P沟道MOSFET驱动器，因此可进一步减少外置元件数目，而且还可将操作时的占空比提高至100%，即使输入电压稍微高于输出电压，也能确保输出电压的稳定。