【摘 要】
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采用等离子体增强型化学气相沉积（PECVD）的方式,以硅烷（SiH4）、氢气（H2）、磷烷（PH3）以及二氧化碳（CO2）等气体为原料,制备具有宽带隙、高电导特性的n型氢化纳米晶硅氧（n-nc-SiOx：H）薄膜,并
【机 构】
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吉林师范大学物理学院,吉林师范大学功能材料物理与化学教育部重点实验室
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采用等离子体增强型化学气相沉积（PECVD）的方式,以硅烷（SiH4）、氢气（H2）、磷烷（PH3）以及二氧化碳（CO2）等气体为原料,制备具有宽带隙、高电导特性的n型氢化纳米晶硅氧（n-nc-SiOx：H）薄膜,并对其进行了结构分析、暗电导测试和透射反射谱测试.结果表明,增加反应过程中CO2流量会展宽nnc-SiOx：H薄膜的光学带隙,增加H2流量将改善n-nc-SiOx：H薄膜的晶化率.在H2流量为320sccm,CO2流量为0.9sccm的条件下,制备n-nc-SiOx：H薄膜的光学带隙可达2.47
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