原子单位的腐蚀技术

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liufengsheng
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原子单位的腐蚀技术据日本《学会志》1994年第6期报道,日本NEC基础研究所已研制成半导体制造工艺的重要技术──用1个原子单位进行腐蚀的技术。在腐蚀实验中,首先把Cl气“吹”到Si单晶表面,在超高真空中,把扫描隧道显微镜(STM)的针尖接触到1nm,... Atomic units of corrosion technology According to Japan, “Institute of Journal” No. 6, 1994 reported that Japan’s NEC Institute for Basic Research has developed into the semiconductor manufacturing process of the important technology ─ ─ 1 atomic units of corrosion technology. In the corrosive experiment, Cl gas is first “blown” onto the Si single crystal surface, and the tip of the scanning tunneling microscope (STM) is exposed to 1 nm in an ultrahigh vacuum.
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