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基于0．18um射频CMOS工艺，提出三种LC压控振荡器相位噪声和功耗的优化方法。主要思想是：一，通过精心设计，使得PMOS和NMOS差分晶体管对的跨导相等，从而取得时称的输出电压；二，采用偏置晶体管的噪声滤除技术，进一步降低相位噪声；三，确保差分晶体管时的工作区域始终在饱和区和三极管区的边界上，从而实现相位噪声和功耗的最优化。仿真结果证明，在中心频率为2GHz、频率调谐范围为12．4％的条件下，得到最优化的相位噪声为：-102．6dBc／Hz@100KHz、-121．1dBc／Hz@600KHz。且功耗