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基于0.18um射频CMOS工艺,提出三种LC压控振荡器相位噪声和功耗的优化方法。主要思想是:一,通过精心设计,使得PMOS和NMOS差分晶体管对的跨导相等,从而取得时称的输出电压;二,采用偏置晶体管的噪声滤除技术,进一步降低相位噪声;三,确保差分晶体管时的工作区域始终在饱和区和三极管区的边界上,从而实现相位噪声和功耗的最优化。仿真结果证明,在中心频率为2GHz、频率调谐范围为12.4%的条件下,得到最优化的相位噪声为:-102.6dBc/Hz@100KHz、-121.1dBc/Hz@600KHz。且功耗