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柱电极垂直穿通硅片衬底的3D探测器和传统平面硅基探测器相比，具有耐辐射性、快速响应、低耗尽电压等优势，然而其器件结构、制备工艺以及系统集成上与传统结构不同，面临众多的技术挑战。近年许多机构对3D 探测器开展了一系列的研究以简化其制备工艺实现工业化，本文系统性总结了3D 硅基探测器的器件种类及特点、标准制备工艺等关键技术方法与路线，并对相关器件的性能与关键影响因素作出了总结，最后简要指出了3D硅基探测器的技术改进方向。