【摘 要】
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构建了基于n-ZnO纳米线/p-Si异质结的紫外发光二极管.ZnO纳米线准阵列采用水热法生长于重掺p型Si片上.此法简易,反应温度低,易于大规模生产;其产物ZnO纳米线结晶良好,以c轴为
【机 构】
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北京大学电子学系,北京大学电子学系,北京大学电子学系 北京100871,北京100871,北京100871
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构建了基于n-ZnO纳米线/p-Si异质结的紫外发光二极管.ZnO纳米线准阵列采用水热法生长于重掺p型Si片上.此法简易,反应温度低,易于大规模生产;其产物ZnO纳米线结晶良好,以c轴为优势取向,光激发下的紫外荧光发射很强.二极管的电学接触采用聚合物填充的In阴极或以氧化铟锡(ITO)玻璃紧压形成阴极.它们的I-V特性体现出良好的二极管性质.在正向偏置电压驱动下,构建的发光二极管可稳定发射波长在387nm的较强的近紫外光和较弱的绿光.
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