【摘 要】
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20年来集成电路制造技术迅猛发展,从5μm技术经历9代发展到当前的0.18μm技术。作为集成电路技术水平的标志,存储器(DRAM)规模已经达到4Gbit,并正在向16Gbit突破;而微处理器
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20年来集成电路制造技术迅猛发展,从5μm技术经历9代发展到当前的0.18μm技术。作为集成电路技术水平的标志,存储器(DRAM)规模已经达到4Gbit,并正在向16Gbit突破;而微处理器(CPU)的时钟频率已达到1CHz。集成电路的生产水平在2006年左右将进入亚0.1μm,2012年可望达到0.05μm。而0.1μ
In the past 20 years, IC manufacturing technology has developed rapidly, from the 9th generation of 5μm technology to the current 0.18μm technology. As a sign of the level of integrated circuit technology, the size of memory (DRAM) has reached 4Gbit, and is breaking through to 16Gbit; while the clock frequency of the microprocessor (CPU) has reached 1CHz. The production level of integrated circuits will enter sub-0.1 μm in 2006, and it is expected to reach 0.05 μm in 2012. And 0.1μ
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