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为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列(FEA)覆盖材料,我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜,薄膜淀积采用离子束辅助淀积(IBAD)以及其它淀积技术。在10^-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I-V特性,测量结果表明除Au和Mo外,其它覆盖材料都对FEA电子发射性能有改进,经TaN覆盖的FEA发射电流最大。由F-N曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积,从而说明以上所得的实验结果。