【摘 要】
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利用不同剂量率γ射线、低能(小于9MeV)质子和1MeV电子对CC4007RH、CC4011、LC54 HC04RH NMOSFET进行了辐照实验,结果表明,在+5V偏置条件下,9MeV以下质子造成的损伤总是小于6
【机 构】
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西北核技术研究所西安市69信箱六室
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利用不同剂量率γ射线、低能(小于9MeV)质子和1MeV电子对CC4007RH、CC4011、LC54 HC04RH NMOSFET进行了辐照实验,结果表明,在+5V偏置条件下,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60Co,而且质子能量越低,损伤越小;对于同等的吸收剂量,1MeV电子和60Co造成的损伤差别不大;在高剂量率γ射线辐射下,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因,在接近空间低剂量率辐射环境下,LC54HC04RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷,而CC4007RH器件则是氧化物陷阱电荷
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