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CMP是利用抛光机、抛光液、抛光垫、抛光布在一定的工艺条件下实现材料表面高平坦化的一种技术。CMP技术来源于硅片抛光工艺 所用的设备和材料都与硅片抛光用的设备、材料等相似。利用这种技术可以使多层SiO2介质平面化和实现多层金属高密度互连,使多层电路结构能在一个近乎平坦的平面上进行制备,加速了低电阻率Cu取代Al作为互连线的步伐,降低了芯片的使用功耗。