论文部分内容阅读
本文对高亮度GaAlAs LED芯片和外延片的研制原理和工艺进行了研究。实验是在全自动液相外延炉上进行,选用1~1.7℃/min的降温速率,生长了25~30μm的P-Ga_(0.65)Al_(0.35)As和12~15μm的N-Ga_(0.35)Al_(0.65)As外延层;采用微合金工艺制作欧姆接触电极。结果获得GaAlAs LED芯片的性能达到I_v=5.8mcd、V_F=1.74V(I_F=20mA),λ_p=665nm。