高亮度GaAlAs LED芯片的研制

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【摘要】

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本文对高亮度GaAlAs LED芯片和外延片的研制原理和工艺进行了研究。实验是在全自动液相外延炉上进行,选用1～1.7℃/min的降温速率,生长了25～30μm的P-Ga_(0.65)Al_(0.35)As和12～1

【作者】

：

陆瑞良陈佐禹

【机构】

：

苏州半导体总厂,苏州半导体总厂苏州215007,苏州215007,苏州215007

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

1992年2期

【关键词】

：

液晶显示器芯片制造 GAALAS

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本文对高亮度GaAlAs LED芯片和外延片的研制原理和工艺进行了研究。实验是在全自动液相外延炉上进行,选用1～1.7℃/min的降温速率,生长了25～30μm的P-Ga_(0.65)Al_(0.35)As和12～15μm的N-Ga_(0.35)Al_(0.65)As外延层;采用微合金工艺制作欧姆接触电极。结果获得GaAlAs LED芯片的性能达到I_v=5.8mcd、V_F=1.74V(I_F=20mA),λ_p=665nm。

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