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设计了一种能经受高能粒子辐照的GaAs微条粒子探测器，该探测器结构采用金属－半导体－金属结构，其主要几何尺寸是：微条长度为17mm，宽度分别为20、50、100、200、300μm，该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后，表面金属光亮无损，反向击穿电压最高可达180v，在反偏电压80V时，反向暗电流密度低达31Na/MM^2，探测器的最小条宽为20μm.