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将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式，在半导体GaN上制备介电氧化物／GaN集成薄膜，其多功能一体化与界面耦合效应可推动电子系统单片集成化的进一步发展。然而，由于2类材料物理、化学性质的巨大差异，在GaN上生长介电薄膜会出现严重的相容性生长问题。采用激光分子束外延技术（LMBE），通过弹性应变的TiO2的缓冲层来减小晶格失配度，降低介电薄膜生长温度，控制界面应变释放而产生的失配位错，提高了介电薄膜外延质量；通过低温外延生长MgO阻挡层，形成稳定的氧化物／GaN界面，阻挡后续高