二维电子气 FET 单片微波放大器及其与 GaAsFET 放大器的比较

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我们描述了异质结二维电子气 FET 单级单片电路放大器的制作。同样的电路结构已经在传统的 GaAsFET 片子上实现,因此可以对两种材料作直接比较。在 X 频段,两种电路显示出较好的性能,在良好的输入和输出匹配情况下,GaAs 放大器的增益为7dB,二维电子气 FET(TEGFET)增益为5dB。对于 TEGFET 来说,接触电阻似乎不是主要问题,其工艺与常规 IC 的制作方法是相容的。 We describe the fabrication of a heterojunction two-dimensional electron gas FET monolithic monolithic amplifier. The same circuit structure has been implemented on conventional GaAsFET wafers, so a direct comparison of the two materials is possible. Both circuits show better performance in the X band, with a gain of 7dB for GaAs amplifiers and 5dB for two-dimensional electron gas FETs (TEGFETs) with good input and output matching. Contact resistance does not appear to be a major concern for TEGFETs and its process is compatible with the fabrication of conventional ICs.
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