【摘 要】
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设计了SiO2与电极间加入ZnS的复合加速层结构,进一步说明靠电子注入的增强来扩大初电子源.同时,在电子发生倍增前后的电压下,对比了单层和夹层结构的不同加速层的发光性能.得
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设计了SiO2与电极间加入ZnS的复合加速层结构,进一步说明靠电子注入的增强来扩大初电子源.同时,在电子发生倍增前后的电压下,对比了单层和夹层结构的不同加速层的发光性能.得到在低压直流下单侧复合加速层器件的发光优于单层SiO2加速层器件而劣于单层ZnS器件;在高压交流下复合加速层表现出明显的优势,在复合加速层中,ZnS不仅对电子有加速作用,而且对增强电子注入贡献很大,同时ZnS和SiO2/ZnS界面还提供了初电子源.另外,与SiO2夹层器件作对比,发现SiO2依然是主要的加速层,只是在加入ZnS以后,改变了电场分布,提高了电子的加速效果,增强了短波峰的光强.这种复合加速层结构,尤其在高场下,对提高固态阴极射线的初电子源,从而提高其发光效率具有促进作用.
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