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实验结果表明,利用O2/N2的低分压再氧化和中间氧化,以及利用O2/NH3的掺氧再氮化均能有效地改善氮氧化膜的界面特性,而其优异的电击穿特性则得以保持或稍有改善。在三种氧处理方法中,中间氧化的效果较显著,而掺氧再氮化则呈现较低的抗氧化能力。
氧处理对氮氧化膜界面特性和组分的影响
【摘 要】
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实验结果表明,利用O2/N2的低分压再氧化和中间氧化,以及利用O2/NH3的掺氧再氮化均能有效地改善氮氧化膜的界面特性,而其优异的电击穿特性则得以保持或稍有改善。在三种氧处理
【机 构】
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华南理工大学物理系,华南理工大学物理系广州,广州,广州
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1990年11期
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